Содержание

Что такое tf card в планшете

Память DDR3, NAND, iNAND, TF CARD в планшете teXet TM-9740.

В планшете teXet TM -9740 использован процессор Rockchip RK3066 (рис. 1) его подсистема памяти содержит:

— оперативная память 1 ГБ DDR3;

— внутренняя память 8 ГБ (NAND FLASH, iNAND);

— TF CARD (TransFlash memory card).

Память DDR3.

Очередной «эволюционный скачок» технологии памяти DDR SDRAM привел к новому стандарту DDR3. Основная идея, лежащая в основе перехода от DDR2 к DDR3, в точности повторяет идею, заложенную при переходе от DDR к DDR2. В DDR3 передача данных по-прежнему осуществляется по обоим полупериодам синхросигнала на удвоенной «эффективной» частоте относительно собственной частоты шины памяти. Только рейтинги производительности выросли в 2 раза, по сравнению с DDR2. Типичными скоростными категориями памяти нового стандарта DDR3 будут являться разновидности от DDR3-800 до DDR3-1600 (и выше). Очередное увеличение теоретической пропускной способности компонентов памяти в 2 раза вновь связано со снижением их внутренней частоты функционирования во столько же раз. Поэтому для достижения темпа передачи данных со скоростью 1 бит/такт по каждой линии внешней шины данных с «эффективной» частотой в 1600 МГц используемые 200-МГц микросхемы должны передавать по 8 бит данных за каждый «свой» такт (рис. 2). Поэтому ширина внутренней шины данных микросхем памяти уже в 8 раз больше по сравнению с шириной их внешней шины. Такую схему передачи данных с рассмотренным преобразованием типа «8-1» называют схемой «8n-предвыборки» (8n-prefetch).

Рис. 2. Схема передачи данных в микросхеме памяти DDR3-1600

Преимущества при переходе к DDR3: это снижение энергопотребления компонентов, возможность дальнейшего наращивания тактовой частоты и теоретической пропускной способности при сохранении прежнего уровня «внутренней» частоты компонентов. Образцы микросхем DDR3 с уровнем питающего напряжения 1.5 В , что примерно на 32% обеспечивает вклад в снижение мощности, рассеиваемой этими микросхемами памяти по сравнению с микросхемами DDR2, которые имеют стандартное питающее напряжение 1.8 В. Общее снижение энергопотребления по сравнению с равночастотной DDR2 составляет примерно 43% (это особенно важно для мобильных систем). Теоретическая пропускная способность микросхем DDR3 вдвое выше по сравнению с DDR2 благодаря использованию рассмотренной выше схемы 8 n -prefetch. Количество логических банков в микросхемах DDR3 также увеличено вдвое по сравнению с типичным значением для DDR2 и составляет 8 банков, что теоретически позволяет увеличить «параллелизм» при обращении к данным по схеме чередования логических банков и скрыть задержки, связанные с обращением к одной и той же строке памяти.

Важной особенностью схемотехнического дизайна модулей памяти DDR3 является применение «сквозной», или «пролетной» (fly-by) архитектуры передачи адресов и команд, а также сигналов управления и тактовой частоты отдельным микросхемам модуля памяти с применением внешнего терминирования сигналов. Эта архитектура позволяет добиться увеличения качества передачи сигналов, что необходимо при функционировании компонентов при высоких частотах, типичных для памяти DDR3.

В модулях памяти DDR3 вследствие применения «пролетной» архитектуры подачи адресов и команд каждая из микросхем модуля получает команды и адреса с определенным отставанием относительно предыдущей микросхемы, поэтому элементы данных, соответствующие определенной микросхеме, также окажутся доступными с некоторым отставанием относительно элементов данных, соответствующих предыдущей микросхеме в ряду, составляющем физический банк модуля памяти. В связи с этим, с целью минимизации задержек, в модулях памяти DDR3, по сравнению с модулями DDR2, реализован несколько иной подход ко взаимодействию контроллера памяти с шиной данных модуля памяти. Он называется «регулировкой уровня чтения/записи» (read/write leveling) и позволяет контроллеру памяти использовать определенное смещение по времени при приеме/передачи данных, соответствующее «запаздыванию» поступления адресов и команд (а следовательно, и данных) в определенную микросхему модуля. Этим достигается одновременность считывания (записи) данных из микросхем (в микросхемы) модуля памяти.

Рис. 3. Фрагмент принципиальной схемы планшета teXet TM -9740

Внутренняя память NAND FLASH, iNAND.

В основе NAND-архитектуры лежит И-НЕ алгоритм (на англ. NAND). Принцип работы аналогичен NOR-типу, и отличается только расположением ячеек и их контактов. Уже нет необходимости подводить контакт к каждой ячейке памяти, так что стоимость и размер NAND-процессора значительно меньше. За счет этой архитектуры, запись и стирание происходят заметно быстрее. Однако эта технология не позволяет обращаться к произвольной области или ячейке, как в NOR. Для достижения максимальной плотности и емкости, флеш-накопитель, изготовленный по технологии NAND, использует элементы с минимальными размерами. Поэтому, в отличие от NOR-накопителя допускается наличие сбойных ячеек (которые блокируются и не должны быть использованы в дальнейшем), что заметно усложняет работу с такой флеш-памятью. Более того, сегменты памяти в NAND снабжаются функцией CRC для проверки их целостности. В настоящее время NOR и NAND-архитектуры существуют параллельно и никак не конкурируют друг с другом, поскольку у них разная область применения. NOR используется для простого хранения данных малого объема, NAND — для хранения данных большого размера.

Рис. 4. Фрагмент принципиальной схемы планшета teXet TM -9740.

iNAND флэш предназначена для использования в мобильных устройствах (н изкая потребляемая мощность). iNAND использует интеллектуальные технологии флэш-памяти, передовые технологии кэширования, которые увеличивают быстродействие системы и производительность для более быстрой загрузки приложений, просмотра веб-страниц, и многозадачности. Чипы iNAND выпускаются в очень компактных упаковках .

Рис. 5. Фрагмент принципиальной схемы планшета teXet TM -9740

TransFlash memory card (TF CARD) или micro-SD.

Размеры модулей TransFlash(micro-SD) заметно меньше размеров карт mini-SD и RS-MMC (рис. 6), и составляют 15мм x 11мм x 1мм. Ориентированы эти носители прежде всего на использование в мобильных телефонах и смартфонах. Однако благодаря совместимости интерфейса с картами SD, миниатюрные карточки TransFlash могут быть считаны/записаны в любых устройствах, имеющих слот для установки карт SD (для этого, как и в случае с mini-SD, RS-MMC и MS Duo, понадобится соответствующий адаптер). Полной электрической совместимостью со стандартом SD карты формата TransFlash обязаны и второму своему названию – «micro-SD», которое применяется сейчас даже чаще, чем TF. Естественно, в формате micro-SD выпускаются как карты объемом 2 Гб и менее, соответствующие по свойствам и протоколу передачи данных требованиям формата SD, так и карты большей емкости (4 Гб и более), работающие по протоколу SDHC.

Что такое карта TF (TransFlash) и чем она отличается от Micro SD?

В настоящее время смартфоны получают больше места для хранения больших объемов данных или различных приложений. Многие телефоны поставляются с возможностью внешнего хранения, где пользователь может использовать карту micro SD для расширения памяти телефона. Некоторым пользователям интересно, что такое TF-карты и как они связаны с SD-картами. TF или TransFlash — это едва известное имя для карт памяти, и многие пользователи не знают об этом имени. В этой статье мы поговорим о TF Card и разнице между TF и micro SD картами.

Что такое TF Card?

TF или T-Flash означает TransFlash. Это было оригинальное название для микро-цифровых карт (SD). Эти карты были выпущены компанией SanDisk в 2004 году. Карта TF работала как самая маленькая карта памяти всех времен и используется для хранения данных в цифровом виде. Карты Micro SD и TF могут использоваться в различных типах устройств, таких как смартфоны, камеры, компьютеры и другие подобные устройства, для хранения информации, такой как видео, изображения и т. Д. Эта карта памяти считалась самой маленькой в мире картой памяти с размером ногтя.

Проще говоря, TF Card была начальным названием и продуктом компании SanDisk, которая впоследствии превратилась в карту micro SD. Обновление и улучшение продукта является обычным делом для любой компании, так же как и для изменения названия TransFlash.

Разница между TransFlash и Micro SD Card

Micro SD (SD означает Secure Digital) и карта памяти TransFlash очень похожи и могут использоваться вместо друг друга. Тем не менее, есть небольшая разница между ними. Карты Micro SD могут поддерживать режим SDIO, что означает, что они могут выполнять задачи, не связанные с памятью, такие как Bluetooth, GPS и Near Field Communication. Тогда как карта TransFlash не может выполнять такие задачи.

Transflash и микро SD-карты

Transflash был названием для начального продукта, так что вы можете найти большинство карт TF размером 16 МБ и 32 МБ. С 2014 года по настоящее время карты micro SD и TransFlash считаются одинаковыми . Карты TF и micro SD имеют одинаковые размеры и спецификации, и обе карты полностью совместимы друг с другом. Обе карты до сих пор используются на мобильных устройствах, хотя трудно найти оригинальные карты памяти TransFlash.

Что такое карта памяти TF?

Содержание

В эпоху развития компьютерных технологий человек уже не может обойтись без смартфона или планшета. Постоянно возрастает спрос на различные мобильные носители, каждому хочется получить наиболее емкий и скоростной.

Сегодня пойдет речь о картах памяти — самых распространенных аксессуарах для мобильных аппаратов. В каждом гаджете сейчас имеется для них особый слот. Нас интересует TF карта памяти, что это такое и какими параметрами она обладает.

Формат карты памяти и его особенности

Существует много форматов, так как ранее компании, занимавшиеся производством электроники, стремились разработать собственный тип устройств. Сейчас же их пытаются объединить.

Самый старый формат – SD Card, разработанный в конце прошлого века, отличающийся крупными размерами. Позднее он неоднократно дорабатывался и теперь существует три форм-фактора:

стандартная SD-карта
mini SD
micro SD

Что такое TF?

Стандарты постепенно устаревают, хотя ранее они повсеместно использовались в фотоаппаратах. Micro SD были созданы компанией SanDisk в 2004 году, тогда они назывались именно TransFlash. Сокращение TF, которое вы периодически наблюдаете в интернете, пошло именно с тех времен. Такие карты маленького размера, но их вставляют не только в смартфоны с маленькими слотами, но и в более крупную технику посредством специальных адаптеров.

Увеличение размеров

Еще через несколько лет формат претерпел изменения, его модифицировали и увеличили объем, переименовав в SDHC. Еще позже появились SDXC, обладающие самой большой вместительностью.

Существует еще несколько форматов – Smart Media, Microdrive и другие. Они постепенно утрачивают позиции на рынке, чаще всего применяются в специализированных устройствах.

Классы скорости

Еще один немаловажный аспект, от которого зависит качество работы устройства — скорость. Она измеряется в мегабайтах, которые в состоянии принять карта за одну секунду. Когда форматов стало слишком много, ввели специальную классификацию.

Сейчас распространены классы от 2 до 16. Чем выше – тем быстрее работает устройство. Что более важно, каждый гаджет имеет свои требования к скорости работы карты. В случае с мобильными телефонами — приобретение Micro SD медленнее четвертого класса бессмысленно, а для дорогих зеркальных фотоаппаратов нужен как минимум десятый. Требования к этому параметру продолжают расти с каждым годом, а медлительные модели устаревают и уступают место на рынке более технологичным собратьям.

На современную карту влезает огромное количество информации, чего 15 лет назад никто и представить не мог. Теперь вы знаете достаточно о характеристиках таких устройств, чтобы сделать корректный выбор, который подойдет для вашей техники.