Количество ранков оперативной памяти что это

Количество ранков оперативной памяти что это

Одноранговая или двухранговая оперативная память?

Если с двухканальной оперативной памятью все более-менее понятно (четное количество модулей работает быстрее нечетного), то термин «двухранговая память» знаком уже куда меньшему числу компьютерных энтузиастов. Более того, даже те немногие, кто знают о двухранговости, не могут однозначно ответить, хорошо это или плохо. И действительно, двухранговая память имеет как преимущества, так и недостатки. Что же из них сильнее перевешивает, давайте вместе разбираться.

Single Rank vs Dual Rank

Ранг памяти — это количество массивов из микросхем памяти разрядностью 64 бита каждый, распаянных на одном модуле памяти. Проще говоря, это два виртуальных модуля на одном физическом. Самыми распространенными являются одноранговые (Single Rank) и двухранговые планки памяти (Dual Rank), но изредка встречаются и четырехранговые (Quad Rank).

Нехотя напрашивается аналогия с физическими и виртуальными ядрами процессора — Intel Hyper-Threading и AMD SMT. Некое сходство действительно есть: одна двухранговая планка памяти быстрее одноранговой (Single Channel), но медленее двух одноранговых, работающих в двухканальном режиме (Dual Channel).

На данный момент преобладающее большинство модулей памяти DDR4 объемом 4 или 8 ГБ являются одноранговыми (распаяно четыре или восемь чипов по 1 ГБ), а объемом 16 ГБ — двухранговыми (шестнадцать чипов, то есть два массива). Впрочем, в продаже все еще можно встретить старые 8-гиговые двухранговые планки (16 чипов малой плотности 512 МБ).

А с появлением первых чипов повышенной плотностью 2 ГБ в продажу начали поступать одноранговые 16-гиговые (один массива из 8 чипов) и двухранговые 32-гиговые модули (16 чипов). Четырехранговые 32-гиговые планки (32 чипа, четыре массива) — совсем уж диковинка.

Проще говоря, если чипов на планке памяти до восьми штук включительно — она одноранговая, а если шестнадцать — двухранговая. С теорией более-менее разобрались, теперь же проведем практическое тестирование на примере парочки двухранговых 16-гиговых модулей Apacer DDR4 суммарным объемом 32 ГБ.

Apacer DDR4 — серия бюджетной оперативной памяти для современных компьютерных платформ Intel LGA1151-v2 и AMD AM4. Текстолит моделей с частотой 2133 и 2400 МГц окрашен в олдскульный зеленый цвет, а 2666-МГц моделей — в уже более современный черный. На выбор доступны модели объемом 4, 8 и 16 ГБ. Первые два варианта — одноранговые, тогда как последний — двухранговый.

Готовых заводских наборов на два или четыре модуля не предусмотрено, только отдельные планки. Поэтому если планируете заняться оверклокингом, советуем покупать в одном магазине и в одно время. Чтобы уж наверняка попались чипы из одной партии с примерно одинаковым коэффициентом утечек тока и разгонным потенциалом.

Пожалуй, самыми интересными являются планки Apacer DDR4 объемом 16 ГБ и частотой 2666 МГц. Построены они на шестнадцати чипах Hynix A-die (по данным приложения Thaiphoon Burner), то есть являются двухранговыми. Парочка таких модулей позволяет собрать ПК на процессоре AMD Ryzen с высокой пропускной способностью подсистемы памяти — двухканальная и одновременно двухранговая.

Правда, большое количество чипов повышает нагрузку на встроенный в процессор контроллер памяти. Из-за этого частота памяти, которую можно выжать из памяти ручным разгоном, будет ниже, а тайминги (задержки) наоборот выше. Даже по умолчанию Apacer DDR4-2666 16 ГБ работает на таймингах CL19 вместо типичных для этой частоты CL17.

Двухранговая память выгоднее для AMD Ryzen с точки зрения быстродействия

Знатоки сильных и слабых сторон процессоров AMD Ryzen наверняка сами способны озвучить подобные выводы, но для неискушённого покупателя, который присматривается к новейшим решениям AMD, выбор модулей памяти может стать не самой простой задачей. Ситуация усложняется тем, что поддержку новых режимов работы памяти постепенно вводят через обновления BIOS производители материнских плат, и AMD им активно помогает. Стало быть, актуальные месяц назад утверждения сейчас пришлось бы пересматривать с оглядкой на прогресс в сфере совершенствования BIOS.

Если же обстоятельства «породнили» вас с одноранговыми модулями памяти типа DDR4, и отречься от них нет возможности, то следует выбирать режимы работы, сочетающие высокие частоты и низкие задержки (крайняя графа справа). Лишь бы материнская плата предоставляла соответствующие возможности, а прочие компоненты системы не страдали от разгона памяти.

Одноранговая и двухранговые память. Если ли разница?

Привет всем. Купил такую сборку —

Видюха palit gamerock 1080 8gb.

Уже после того как купил, заметил что оперативка одноранговая. Брал по принципу «бери самая дешевая, там ваще пофиг»

А щас полез копаться, оказалось что она одноранговая. Как я понял, для игр они ведь хуже примерно на 5-10% чем двухранговые, да?

Сильн критично это? А если ее хорошо разогнать? Это же вроде преимущество у одноранговых — разгон.

Изменить уже ничего нельзя, поэтому как мне компенсировать мой косяк?)

Одно и двухранговые ОЗУ
Доброго времени суток! :drink: Небольшой такой вопрос к вам, уважаемые знатоки/эксперты.

Есть ли разница,в какой разьем подключать память?
Представим ситуацию;материнка поддерживает 2 канальную память(DDR3).На процессоре стоит.

Упаковка и память. Разница скорости работы классов и структур
Если Int32 это структура и создается в стеке (никаких упаковок-распаковок), то почему тут на форуме.

Наследование: выделение память 2 способами — какая между ними разница
Доброй ночи! Целый год все было нормально, а этой ночью что-то случилось с моей головой. Я в.

Одноранговая сеть
Сеть одноранговая!! ВСЕ ОС и ПО — лицензионные!! на ПК одном 1С работает нормально — с базой на.

Короче. 1 ранк — это когда на плате оперативки набрано столько чипов и такой битности, чтобы вместе составлять 64 бита. Например, если взять 8 512-мегабайтных чипов с 8-битной организацией — получим 64 бита, т.е. — один ранк. А размер этой оперативки получится 4 гига. Вот. Но на одной планке оперативки может быть распаяно 2 ранка, т.е. 16 таких чипов, каждый из таких ранков будет пользовать предоставленный канал как бы по очереди, как будто на одной планке оперативки распаять две реальные планки. Обычно это бывает распаяно на 2 стороны планки, поэтому многие как-то привыкли путать ранк и сторону, но вот ни фига это не верно, вот что. Бывает, что на 2-х сторонах распаян один ранк, а бывает что на одной стороне распаяны 2 ранка.

Короче, kraper111, мой вам совет. погоните память до 3000, или хотя бы до 2666 — и будет вам счастье.
И не выдумывайте себе проблем.

Короче. 1 ранк — это когда на плате оперативки набрано столько чипов и такой битности, чтобы вместе составлять 64 бита. Например, если взять 8 512-мегабайтных чипов с 8-битной организацией — получим 64 бита, т.е. — один ранк. А размер этой оперативки получится 4 гига. Вот. Но на одной планке оперативки может быть распаяно 2 ранка, т.е. 16 таких чипов, каждый из таких ранков будет пользовать предоставленный канал как бы по очереди, как будто на одной планке оперативки распаять две реальные планки. Обычно это бывает распаяно на 2 стороны планки, поэтому многие как-то привыкли путать ранк и сторону, но вот ни фига это не верно, вот что. Бывает, что на 2-х сторонах распаян один ранк, а бывает что на одной стороне распаяны 2 ранка.

Короче, kraper111, мой вам совет. погоните память до 3000, или хотя бы до 2666 — и будет вам счастье.
И не выдумывайте себе проблем.

Наконец-то нашёл адекватное объяснение одно- и двух рядных типов плат памяти. Везде пишут какой-то бред про две стороны, хотя только слепой не видит, что на обеих видах плат чипы с одной стороны. Где с двух сторон, мне не попадалось. Очевидно же, что речь идёт не о сторонах платы, а о принципе организации работы чипов.

А работоспособна ли система с двумя различными в этом плане платами памяти?

..вполне.
ранки памяти только расширяют адресный диапазон и всё.

не совсем так. по-очереди шиной пользуются только каналы памяти, но не ранки.
Внутри одного модуля, 64-битная шина-данных одна и по ранкам она разводится параллельно.

Контроллёр памяти соединяется с процем одной 64-битной шиной, но если этот контроллёр двуканальный, то от контроллёра к памяти, шина становится уже 128-битной — т.е. каждому каналу по 64-битной шине. Вот здесь-то они и чередуются..

В свою очередь, на каждый канал можно повесить только 16-чипов памяти! Это ограничение связано с разрядностью сигнала «ChipSelect» CS#[3:0], 4-мя битами которого можно адресовать только 16 м/схем памяти. У 1-ранковых модулей бит(3) будет всегда сброшен в нуль, а оставшимися 3-мя адресуются 8-чипов ‘SingleRank’ модуля. Чтобы увеличить общее кол-во чипов, нужно добавлять ещё контроллёры памяти.

Вот скрин из интеловского даташина MCH..
(SDQ[63:0] = шина-данных, SCS[3:0] = выбор одного из 16-ти чипов модуля):

А вот столбцы в глобальной матрице адресуются иначе.. Их нумерация так-же совпадает для всех чипов, но зато сам чип выбирается уже 4-битным сигналом(CS#). После выбора одного из 8-ми чипов, нумерация его столбцов опять начинается с нуля — детали здесь.

Организация ‘DualRank’ модулей ничем не отличается от ‘Single’ — разница только в четвёртом бите(3) сигнала(CS#), который позволяет выбрать уже следующие чипы 8-15 модуля памяти, расширяя таким образом доступную память. При этом шины-данных чипов 0/8, 1/9, 2/10 и т.д. соединяются между собой параллельно — это не создаёт неразберихи, т.к. в каждый момент времени операции R/W производятся только с одним из чипов, который активируется текущим сигналом(CS#) с контроллёра памяти.

В двуканальном режиме выигрыш в скорости достигается за счёт того, что контроллёр памяти может не дожидаясь окончания операции с одним каналом, начинать работать со-вторым, поскольку у него своя шина-данных (см.рис.выше). В одноканальном режиме приходится ждать окончания начатой транзакации, на что теряется время. Как-то так..

В памяти есть такое понятие, как «активное окно». Я не знаю, чьё конкретно это свойство — свойство отдельной микросхемы памяти, или свойство отдельного ранка. Но в любом случае две ранка памяти позволяют иметь в два раза больше активных окон. Соотвестственно, среднестатистически иметь чуть меньше ситуаций переключения активного окна, соответственно, тратить чуть меньше времени. Насчёт пары процентов сомневаюсь, по ощущениям эффект должен быть намного меньше

На моей памяти проводил эксперимент, когда две планки памяти ставил в один канал. На синтетическом тесте работало немного быстрее, чем вариант, когда установлена всего лишь одна планка. Причина по сути та же самая

4ori4or, это смотря в каком режиме проц читает память.
Раньше (DDR/DDR2) этих режимов было хоть-отбавляй, а сейчас оставили только два — пакетный и страничный, когда читается сразу вся/открытая страница.

Помимо запоминающей матрицы, каждый из 8-ми чипов имеет и свой/логический узел, который: защёлкивает принятый адрес, выделяет из него номер банка, переключает буферы на R/W и прочее. Если посмотреть на даташит, то чип состоит из 4-х узлов: логика, матрица, буфер и шинный-драйвер.

Когда 8-чипов собирают в ранк, то узлы всех чипов получаются соединёнными параллельно, превращаясь в: глобальную матрицу, один/большой буфер и мега-драйвер внешней шины. Соединяются все узлы, ..кроме логики, т.к. столбец выбирается отдельно и при пакетном чтении должен на автопилоте сдвигаться вправо.

Контроллёр первым посылает адрес-строки, но поскольку она глобальна, то указанная строка открывается сразу во-всех чипах глобальной матрицы. В это время, буквально все байты открытой строки сваливаются в глобальный буфер «SenseAMP», и по-приходу строба RAS# логика защёлкивает у себя принятый адрес-строки. В зависимости от типа применяемых чипов, размер буфера варьируется в диапазоне 4-8Kb, что соответствует одной странице виртуальной памяти.

Содержимое SenseAMP назвали «Активной страницей», т.к. именно с этого момента память становится доступной для чтения. В зависимости от режима работы контроллёра, он может взять с этой страницы: 1,2,4,8-байтов за-раз, 64-байтный пакет, или вообще всю страницу целиком (страничный обмен). Процедура чтения начинается с сигнала CAS#, который контроллёр посылается логике ранка. Причём стартовый байт выбирается уже не из глобальной матрицы, а из буфера, ..от куда данные передаются к шинному драйверу и на выход.

В свою очередь, линий передачи от буфа к дрову тоже может быть несколько: у DDR их две, для DDR2 их уже 4, DDR3 наградили аж 8-ми линиями передачи, а DDR4 вообще 16. По сути этим и отличаются поколения памяти — линиями передачи, которые задаёт 2 n -prefetch (где n — тип памяти, например DDR3 = 2 3 = 8 линий). Там есть мультиплексор на соответствующее число входов от буфера, и 1 выход к драйверу. Только теперь в игру вступает понятие DDR как-таковое — передача по обоим фронтам синхроимпульса по внешней шине.
——————————————

На первый взгляд всё хорошо — данных в буфере много (вся/активная страница). Только есть проблемка! Данные не могут храниться в буфере вечно, и их нужно перезаряжать, что известно как регенерация. Поэтому по-истечению определённого времени (см.тайминги) логика открывает защёлки и все байтики из буфера отправляются прямиком опять в глобальную матрицу, по-своим местам. Соответственно процессор будет вынужден ждать весь цикл по-новой. И это не проблема, если читается страница целиком с последовательными адресами. А если нужно читать адреса вразброс (условные/безусловные переходы в коде)?

Для таких случаев, лучше держать открытыми сразу несколько открытых страниц, для определения которых процессор имеет «Блок предсказания переходов» и предвыборку. Сейчас 4-линии CS#[0:3] на одном канале используются уже по-иному — каждая из них может активировать 1-ранк. Например, если модуль 2-ранковый, то ему выделяются линии контроллёра CS#[0:1]. На одном канале сейчас не может быть больше двух слотов памяти, с расчётом на DualRank. У второго канала свои линии CS#[0:3] и это точная ксерокопия первого.

Таким образом 1-канальный контроллёр может держать открытыми сразу 4 DRAM-страницы, и чередовать их по-требованию, что снижает холостые такты на «RAS-to-CAS-Latency». Стало проще — с одной страницы читаем, другую регенерируем, переключились на третью, и т.п. Но чего нельзя на одном канале, так-это читать сразу из двух ранков, хоть страницы в них и открыты. Выигрыш достигается только за счёт уменьшения задержек на открытие DRAM-страниц.

А вот 2-канальный контроллёр может без проблем читать параллельно, но только каждый свои ранки. Они полностью абстрагированы друг-от-друга, со-своими шинами и сигнальными линиями. Если имеется симметрия глобальной матрицы двух каналов, то за-такт читается сразу 128-бит данных. В сети можно встретить утверждения, что мол сейчас и в асимметричном режиме это стало возможным. Могу возразить, что это не так.

В 2-канальной асимметрии проц будет читать сразу по 128-бит, но только из промежуточного буфера контроллёра. То-есть по 128 он берёт в любом случае, но в первом (при равномерном распределении и одинаковой памяти), промежуточный буфер отключается.

Количество ранков оперативной памяти что это

Q: Как можно изменить(выставить) тайминги памяти?
A: Тайминги памяти можно выставить в Bios Setup вашей материнской платы (обычно это раздел Chipset Features Setup или Advanced Bios Features и т.п.), при использовании материнских плат Gigabyte потребуется нажать комбинацию клавиш Ctrl+F1 в Bios Setup чтобы появились скрытые настройки памяти.
Также тайминги можно изменить с помощью специальных программ:

— A64Tweaker v.0.6, как понятно из названия, программа предназначена для платформы A64. Статья по программе.

— MemSet, данная утилита позволяет изменять тайминги памяти для широкого набора системной логики Intel и AMD.

— SysTool, поддерживаются i855/i848/i865/i875/i915/i925/i945/i955 and AMD64.

— Central Brain Identifier, поддерживаются только процессоры AMD.

Ещё одним почти экзотичным методом является изменение содержимого SPD. Этот метод используется крайне редко.

Q: Подскажите, если моя материнская плата поддерживает память максимум DDR2-667 PC5300, можно поставить память DDR2-800 PC6400?
A: Можно. Модули PC6400(800МГц) обратно совместимы с более низкими частотами. Таким образом, если материнская плата поддерживает только PC5300(667МГц), то модуль памяти PC6400(800МГц) будет работать на максимально возможной частоте — PC5300(667МГц).

Q: Подскажите, если у меня стоит память DDR2-667 PC5300, можно ли добавить память DDR2-800 PC6400?
A: Можно. Модули PC6400(800МГц) обратно совместимы с более низкими частотами. Таким образом, если у вас стоит память PC5300(667МГц), то частота модуля памяти PC6400(800МГц) будет ограничена частотой, с которой работает другой установленный модуль, в рассматриваемом случае новый модуль PC6400(800МГц) будет работать как PC5300(667МГц).

Такой же принцип действует и в отношении других типов памяти и других частот. Т.е. результирующая частота будет ограничена частотой самого «медленного» модуля или же будет ограничена максимальной частотой, поддерживаемой материнской платой.

Q: Подскажите, если у меня стоит память PC6400 с таймингами 5-5-5-15, какие тайминги будут, если я добавлю ещё модуль PC6400 4-4-4-12?
A: При использовании памяти с разными таймингами на одной частоте, тайминги будут устанавливаться по самому «медленному» модулю, т.е. в данном случае это будут 5-5-5-15.

Q: Что такое SPD?
A: Специализированная микросхема «последовательного обнаружения присутствия» (Serial Presence Detect, SPD), располагается на PCB модуля памяти. Данная микросхема содержит данные о производителе, типе памяти, конфигурации модуля и его основных параметрах, а также таймингах. Информация SPD считывается системой BIOS во время загрузки компьютера и используется для выставления начальной конфигурации.

Q: Что такое EPP?
Q: Что такое SLI-Ready Memory?
A: Расширение стандарта JEDEC SPD путем внесения дополнительной информации в SPD модулей памяти. Это могут быть значения таймингов, напряжение. Информация вносится в виде специальных профилей EPP, а память, в SPD которой прошиты эти профили, называется SLI-Ready Memory. Целью внедрения EPP являлось упрощение настройки и разгона памяти. Такую память официально поддерживают материнские платы, основанные на «старших» версиях чипсетов NVIDIA: nForce 590 SLI, 680i SLI, 680i LT SLI, 780i SLI и т.д.
Для памяти типа DDR3 применяется EPP2.0. Поддержка осуществлена в новейших чипсетах Nvidia: 790i SLI, 790i Ultra SLI.

Q: Что такое XMP?
A: Аналог EPP, разработанный компаний Intel для памяти типа DDR3. Интересным отличием лишь является поддержка управления параметрами памяти из среды Windows с помощью утилиты Intel Extreme Tuning Utility. Такую память официально поддерживают только новейшие чипсеты intel: X38, X48 и др.

Q: Как протестировать оперативную память на предмет ошибок?
A: Для этого можно воспользоваться специальными программами диагностики. Одной из лучших программ для тестирования оперативной памяти(ОП) является Memtest86+ ( Ссылка загрузки ISO образа для создания загрузочного CD). Перед использованием программы создайте загрузочный CD с помощью указанного образа, затем загрузите компьютер с этого диска, при этом программа запустится автоматически и начнется проверка ОП. Чем больше циклов проверки будет сделано, тем надежнее будут результаты теста, при обнаружении даже одной ошибки проверяемую ОП можно считать не прошедшей тестирование. Для большей уверенности следует проводить тестирование в течение нескольких часов, а в исключительных случаях может потребоваться более суток.

Следует заметить, что проверяется лишь текущая конфигурация памяти при текущих настройках. Например, в случае использования оверклокерской памяти, требующей повышенного напряжения питания, обычно необходимо вручную выставлять это значение напряжения. Если этого не сделать, программы диагностики будут выдавать ошибки даже в случае, если память исправна.

На сайте www.memtest.org можно найти другие версии, в том числе для создания загрузочной дискеты или для запуска с флешки.
Кроме Memtest86+, можно воспользоваться программами TestMem4, Windows Memory Diagnostic или же проверить память в среде Windows с помощью RightMark Memory Analyzer.

О порядке диагностики можно ознакомится в статье Диагностика возможных проблем с модулями памяти, а о работе некоторых утилит тестирования можно прочитать в материале Средства проверки системной памяти.

Также неплохую подборку программ для тестирования памяти можно найти на сайте www.benchmarkhq.ru.

Q: Прошу объяснить, на что указывают эти обозначения: PC3200, 400MHz, CL3, ECC и т.д.
A:
PC3200 — число после PC показывает теоретическую пропускную способность памяти в МБайт/сек (в случае PC66, PC100, PC133 — реальную частоту шины памяти).
400MHz — эффективная частота работы памяти.
PC2-3200 — здесь цифра 2 после PC указывает лишь на то, что это DDR2.
DDR400 — число 400 указывает на значение эффективной частоты.
CL4 — число 4 указывает значение тайминга CL.
2.1V — указано значение питающего напряжения. Обычно оно указывается для оверклокерской памяти и его необходимо выставить вручную.
Unbuffered = UDIMM = U — обычный (не регистровый) модуль, предназначен для установки в «десктопные» системы, ноутбуки и т.п.
Non-ECC — модуль без ECC.
240-pin — показывает число выводов(контактов) модуля.
Original — означает, что модуль изготовлен самим производителем микросхем памяти. Иначе говоря, если для модулей Samsung или Hynix не указано Original, то это означает, что модуль изготовлен сторонней компанией, но с использованием микросхем Samsung или Hynix соответственно.
SODIMM — память для ноутбуков (Small Outline Dual Inline Memory Module).
5-5-5-15 — указаны основные тайминги памяти: CL, tRCD, tRP, tRAS.
64Mx8 — организация памяти, указывает на плотность (64M) и разрядность микросхем (8).
2Rx8 — указывает на число ранков (2) и разрядность микросхем (8).
Assy in China — модуль собран в Китае (assy — сокращение от assembly).
BOX — модуль(и) поставляются в «коробочке»(упаковке).
KIT — набор модулей (обычно из двух).
KIT of 2 = matched pair = Dual Ch— набор из двух модулей для работы в режиме Dual Channel.
(with) Heat Spreader — на модуль(и) установлены радиаторы(теплорассеиватели).
Hand-picked (chips) — память со специально отобранными микросхемами с высоким разгонным потенциалом.
6 Layers — модуль изготовлен на шестислойной PCB (печатной плате).
LL — Low Latency — память с низкими таймингами.
EL — может означать как Enhanced Latency (аналог LL), так и Eased Latency (память с обычными таймингами, термин используется у памяти Patriot)
RoHS — память соответствует директиве RoHS, ограничивающей содержание вредных веществ (свинец, кадмий и пр.).
EPP — память с поддержкой профилей EPP.
XMP — память с поддержкой профилей Intel XMP.

Параметры, относящиеся к т.н. серверной памяти:

ECC — модуль оснащен микросхемой(ами) ECC.
Reg = Registered = RDIMM — регистровый модуль (широко распространенный серверный тип памяти).
PLL — модуль оснащен микросхемой PLL (Phase Locked Loop), предназначенной для автоматической подстройки частоты.
LP = Low Profile — низкопрофильные (малой высоты) модули.
VLP = Very Low Profile — низкопрофильные (малой высоты) модули.
Single Rank — одноранговый(одноранковый) модуль.
Dual Rank — двухранговый(двухранковый) модуль.
Fully Buffered = FB-DIMM — относительно новый серверный тип памяти. Основное отличие от DDRII SDRAM Registered DIMM заключается в использовании контроллера AMB (Advanced Memory Buffer), расположенного на модуле памяти и соединенного с чипсетом.

Характеристики оперативной памяти NCP DDR2 800 DIMM 2Gb (NCPT8AUDR-25M88)

Средняя цена по России, руб: 914

Общие характеристики

Фирма, спроектировавшая данный модуль памяти.

DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.

На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.

На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.

DDR — самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.

DDR2 — следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.

Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.

DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.

Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.

DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.

SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).

FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.

LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.

RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.

Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.

Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.

Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!:

8 + восемнадцать =

Adblock
detector